Administrator
发布于 2025-12-24 / 1 阅读
0
0

用Litz线膜包线和压方膜包及litz三层绝缘线分别计算140KHz交流及直流铜线损耗

采用Litz线膜包线和压方膜包及litz三层绝缘线分别计算140KHz交流及直流铜线损耗

原创 磁性元器达人 磁性元件达人 2025年12月23日 06:08 广东 

在小说阅读器中沉浸阅读

详细计算在140kHz频率下,DAB/CLLC变压器绕组采用不同线材时的交流与直流损耗。这是高频变压器设计的关键优化步骤。
140kHz绕组损耗详细计算与线材对比
1 基础参数设定
共同参数:
· 频率: f = 140 kHz
· 工作温度: 100°C(绕组热点温度)
· 导体材料: 铜
· 100°C时铜的电阻率: ρ = 2.3 × 10⁻⁸ Ω·m(比20°C时增加约30%)
· 集肤深度(δ)计算:
  δ = √(ρ / (π f μ₀))
  其中 μ₀ = 4π × 10⁻⁷ H/m(铜的相对磁导率μr = 1)
  δ = √(2.3e-8 / (π 140e3 4πe-7))
    = √(2.3e-8 / (5.527e-1))
    = √(4.16e-8)
    = 0.204 mm
  关键值:集肤深度 δ ≈ 0.204 mm
变压器参数(以DAB E65变压器为例):
· 原边匝数 Np = 55匝,副边匝数 Ns = 28匝
· 原边电流 Irms_p = 15.1 A,副边电流 Irms_s = 28.4 A
· 磁芯窗口宽度E65的bobbin宽度≈ 44.5 mm
· 绕组高度: 假设可用高度为 27 mm(减去挡墙和绝缘)
2 三种线材规格与特性
方案A:传统利兹线(Litz Wire)
· 结构: 多股细漆包线(一般直径d_strand < 2δ)绞合而成
· 典型规格: 原边 1600股 × 0.1mm,副边 2400股 × 0.1mm
· 单股直径: 0.1mm < 2δ (0.408mm),满足集肤效应要求
· 填充率: 约 0.75(包括漆膜和绞合空隙)
· 绝缘: 外层可有可无的轻质绝缘套
方案B:压方膜包线(Flat Foil with Insulation)
· 结构: 薄铜箔(厚度t < 2δ)加两侧绝缘膜
· 推荐厚度: t = 0.15mm(约0.73δ),宽度根据电流和匝数调整
· 优点: 层状结构,易于控制漏感,尤其适合CLLC
· 填充率: 铜填充率可达0.9以上,但绝缘膜占用额外空间
方案C:三层绝缘利兹线(Triple Insulated Litz Wire)
· 结构: 利兹线芯 + 三层高强度绝缘层
· 规格: 可与方案A相同股数,但外径增加约0.3-0.5mm
· 填充率: 较低,约0.65-0.7(因绝缘层厚)
· 优势: 原副边可并绕,无需挡墙,简化绕制工艺,提高可靠性

3 损耗计算模型
直流损耗(DCR)计算
R_dc = ρ l_turn N / Acu
其中:
l_turn = 平均每匝长度(m)
N = 匝数
Acu = 导体有效截面积(m²)
交流损耗因子(F_r)计算
使用Dowell方程,适用于多层绕组:
1. 参数定义:
   h = 导体厚度(或利兹线等效厚度)(m)
   η = 层数
   Δ = h / δ (归一化厚度)
  φ(Δ)=Δ*(sinhΔ+sinΔ)/(coshΔ-cosΔ) (趋肤效应函数)
  ψ(Δ)= 2* (sinhΔ - sinΔ) / (coshΔ + cosΔ) (邻近效应函数)
   F_r = R_ac / R_dc = Δ [φ(Δ) + (2/3)(η² - 1) ψ(Δ)]
2. 对于利兹线,需先计算等效单根导体的尺寸:
   等效截面积 A_eq = 总铜面积
   等效为方形导体时,边长 a = √A_eq
 等效为圆形导体时,直径 deq = 2√(Aeq/π)
  
4 具体计算过程(以原边绕组为例)

步骤1:绕组结构设计
假设采用三明治绕法(原-副-原)以降低漏感:
· 初级绕组分两层: 第一层28匝,第二层27匝
· 每层结构: 方案不同,导体排布方式不同
步骤2:各方案参数计算
方案A:利兹线(1600×0.1mm)
· 单股面积 A_strand = π*(0.05e-3)² = 7.854e-9 m²
· 总铜面积A_cu=1600×7.854e-9 = 1.257e-5 m² =12.57 mm²
· 等效直径: d_eq = 2√(12.57/π) = 4.0 mm
· 利兹线外径(含漆膜):≈ 4.3 mm
· 排布: 每层可绕匝数 = 窗口宽度 / 外径 = 44.5 / 4.3 ≈ 10匝
  需要多根并绕:· 选择4根利兹线并绕: 每根55/4=13.75匝,取14匝
  · 实际:4根线总宽度=4×4.3=17.2mm,一层可绕44.5/4.3≈10列,需要2层

方案B:压方膜包线(厚度0.15mm)
· 所需总铜面积: 12.57 mm²
· 所需宽度: Wfoil = Acu / t = 12.57 / 0.15 = 83.8 mm
· 但窗口宽度仅44.5mm!因此必须分成多段并联:
  · 分为2段: 每段宽度41.9mm,可容纳
  · 每段匝数: 55匝,绕制时需注意绝缘

方案C:三层绝缘利兹线(同A但绝缘加厚)
· 外径: ≈ 4.8 mm(增加约0.5mm绝缘)
· 填充率更低,但可原副边直接接触绕制
5 损耗详细计算表:以下为原边绕组在三种方案下的损耗计算对比:
参数 方案A:利兹线/ 方案B:压方膜包线/ 方案C:三层绝缘利兹线
导体尺1600×0.1mm /0.15mm×41.9mm×2段 /1600×0.1mm+三层绝缘
总铜面积 12.57 mm² /12.57 mm² /12.57 mm²
每匝平均长度 0.15 m / 0.15 m /0.15 m
总导体长度 55×0.15=8.25 m /55×0.15=8.25 m/ 55×0.15=8.25 m
直流电阻R_dc ρl/A = 2.3e-88.25/1.257e-5 = 15.1 mΩ/ 同左:15.1 mΩ/ 同左:15.1 mΩ
直流损耗P_dc I²R = (15.1)²×0.0151 = 3.44 W/ 3.44 W/ 3.44 W
集肤效应参数Δ

 单股d=0.1mm→Δ=0.1/0.408=0.245 厚度t=0.15mm→Δ=0.15/0.204=0.735 同方案A:单股Δ=0.245
层数η 4根并绕,/每根14匝,分层绕制,/等效η=4 2段箔,/每段绕1层→η=1 类似方案A,η=4
交流损耗因子F_r 单股细线,F_r≈1.05 /

箔式φ(0.735)=1.08/ ψ(0.735)=0.162 η=1→F_r=0.735×1.08=0.794 

注意:F_r<1? 实际上箔的交流电阻比直流还低?这需验证。更准确:对于薄箔,当Δ<1时,F_r≈1+(Δ⁴/45)≈1.004 同方案A:F_r≈1.05
/交流电阻R_ac R_dc × F_r = 15.1×1.05 = 15.86 mΩ /15.1×1.004 =15.16 mΩ /15.86 mΩ
交流损耗P_ac (15.1)²×0.01586 = 3.62 W /(15.1)²×0.01516 = 3.46 W/ 3.62 W
涡流损耗占比 约5% <1% 约5%
邻近效应影响 中等(多层结构)/ 极低(单层箔) /中等(多层结构)
综合评述 技术成熟,高频效果好,但绕制复杂 /理论上损耗最低,尤其适合大电流、需要精确控制漏感的CLLC 工艺简化,/安全可靠,但体积稍大

关键发现:
1. 压方膜包线在140kHz表现出极低的交流损耗因子,因为其厚度(0.15mm)小于集肤深度(0.204mm),且单层结构避免了邻近效应。
2. 传统利兹线的交流损耗比直流高约5%,仍是不错的选择。
3. 三层绝缘线电气性能与传统利兹线相当,但提供更好的绝缘安全性。

6 副边绕组计算概要(28.4A rms)
参数 方案A:利兹线 /方案B:压方膜包线/ 方案C:三层绝缘线
导体规格 2400×0.1mm /0.15mm×63mm×2段/ 2400×0.1mm+三层绝缘
铜面积 18.85 mm²/ 18.85 mm² /18.85 mm²
R_dc ρl/A=2.3e-8(28×0.15)/1.885e-5=5.14 mΩ/ 同左:5.14 mΩ /5.14 mΩ
直流损耗 (28.4)²×0.00514=4.15 W /4.15 W /4.15 W
交流损耗因子 F_r≈1.05/ F_r≈1.004 /F_r≈1.05
交流损耗 4.36 W /4.17 W/ 4.36 W
总铜损(原+副) 3.62+4.36=7.98 W 3.46+4.17=7.63 W 3.62+4.36=7.98 W
5.7 考虑绕制工艺的最终推荐

对于DAB变压器:
· 推荐方案:传统利兹线或三层绝缘线
· 理由:
  · DAB变压器对漏感精度要求相对宽松
  · 利兹线技术成熟,绕制方便
  · 若追求更高可靠性,可选三层绝缘线,虽然填充率略低,但可省去层间绝缘,总窗口利用率可能更高

对于CLLC集成变压器:
· 强烈推荐:压方膜包线
· 理由:
  1. 损耗最低:实测交流损耗比理论值可能略高,但仍显著优于利兹线
  2. 漏感控制精准:箔式绕组可通过调整匝间距离精确控制漏感(Lr1和Lr2),这对CLLC性能至关重要
  3. 散热好:宽扁形状提供更大表面积,利于散热
  4. 适合磁集成:易于实现原副边交错绕制(interleaving),优化磁场分布

成本与工艺考虑:
线材类型/ 材料成本/ 绕制难度/ 自动化程度 综合成本
传统利兹线/ 中等 /中等(需分股并绕)/ 中等 /中等
压方膜包线/ 较高(铜箔+绝缘膜)/ 高(需专用设备,对齐要求高)/ 需要专用设备 /高
三层绝缘利兹线/ 最高/ 最低(可机器自动并绕)/ 高 /中等/偏高

微信公众号免责声明

本公众号文章、图片等信息均来自网络,整理学习用,如有侵权,请立即告知,即可删除!谢谢!


评论