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发布于 2025-12-19 / 0 阅读
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精典分析常用几种非晶材料在 AI服务器电源中的典型应用 

精典分析常用几种非晶材料在AI服务器电源中的典型应用

原创 磁性元器达人 磁性元件达人 2025年12月19日 06:08 广东

 

感谢原创,学习分享。

 

1.AI服务器磁元件常用非晶材料

 

一 核心非晶材料体系

 

Fe 基非晶软磁带材与粉末(Fe–Si–B 系):以快淬带材为基础,典型成分为Fe73.5Si13.5B9Cu1(FINEMET),以及Fe–Si–B–C、Fe–Si–B–Cr等变体。特点为高电阻率、低矫顽力、低磁滞/涡流损耗,适合高频低损应用,如EMI 共模电感、PFC 电感、隔离变压器等。粉末形态可通过雾化(气/水/气-水联合)制备,用于后续压制成型。

 

 

 

Fe–Co 基非晶合金:如Fe–Co–B–Si–Nb体系,具有极高饱和磁化强度(可达约 1.9 T)与极低矫顽力,在需要兼顾高Bs与高频低损的场合(如高端共模/差模磁芯、功率电感)具有优势,但成本与脆性需权衡。

 

 

 

Co 基非晶合金:如Co–Fe–B–Si系,特点是超高初始磁导率(可达 10^5 量级)与宽频阻抗特性,非常适合150 kHz–30 MHz范围内的共模噪声抑制,常见于服务器电源的EMI 输入/输出滤波。

 

 

 

Fe 基非晶/纳米晶复合与块体金属玻璃(BMG):通过粉末冶金 + SPS(放电等离子烧结)等工艺制备块体或复合磁芯,兼顾高致密、复杂形状、低损耗等特性;研究中的FeSiBCCr等非晶体系显示出良好的软磁性能与工艺可行性,适合一体成型电感与高功率密度磁件探索应用。

 

 

二 典型器件与选材对应

器件位置

常用非晶材料

选材要点

EMI 共模/差模电感

纳米晶/非晶带材(如 FINEMET、Co 基非晶)

追求高磁导率、宽频高阻抗,覆盖150 kHz–30 MHz,满足CISPR 32/EN 55032 Class A

PFC 电感(高电流场景)

Fe 基非晶粉芯(雾化粉,绝缘包覆)

需要高频低损 + 直流偏置能力,常与金属磁粉芯/铁氧体按工况混用

DC–DC 多相 Buck 电感(一体成型)

非晶/纳米晶粉芯 + 合金粉复合

兼顾低 DCR、低损耗、抗饱和,适配大电流/高 di/dt瞬态

隔离变压器(高频低损)

非晶带材/非晶粉芯

在100–300 kHz区间优化磁芯损耗与温升,与GaN/SiC高频软开关匹配

 

上述对应体现了AI服务器电源“前级非晶/纳米晶 + 后级铁氧体”的总体格局,以及一体成型电感对非晶/纳米晶粉芯的偏好趋势。

 

三 工程选型要点

 

频率与损耗:主流设计以90–120 kHz为量产基准,向上试探至200–300 kHz需严控磁芯与铜损;非晶材料在高频低损方面具优势,但需结合具体B–H 曲线与温升裕量评估。

 

 

 

直流偏置与饱和:关注材料在100–120℃下的饱和磁通密度(Bs)与直流叠加特性,避免高温工况下感量骤降与温升失控。

 

 

 

工艺与可靠性:非晶粉末需绝缘/包覆与致密化工艺配合(如SPS),以兼顾电阻率、损耗、机械强度与热稳定性;量产稳定性与一致性是关键门槛。

 

非晶材料在AI服务器电源中的典型应用

 

SST固态变压器的高频隔离变压器与高频电感

 

在800 V HVDC → 48/12 V的AIDC供电链中,SST以高频隔离与双向能量控制实现高效率与小型化。高频工况下,非晶/纳米晶磁芯的磁芯损耗较传统硅钢片可降低约60%–80%,整机效率可达98%+,并显著缩小变压器与磁性器件体积,适配MW级模块化SST系统(如台达方案)。

 

 

 

AI服务器AC–DC整流/PFC电感(三相Vienna PFC、图腾柱PFC)

 

高电流、低电压纹波与高频化(百kHz级)条件下,非晶/纳米晶凭借高磁导率、低矫顽力与低高频损耗,可减小电感体积并降低铜损/磁损,适合大电流PFC电感与高功率密度整流级;材料端以Fe基非晶带材/非晶粉芯为主,已在高频功率电源EMC与电感优化中被重点讨论与采用。

 

 

 

DC–DC多相Buck电感(GPU/ASIC VRM)的一体成型电感(MIM)

 

GPU/ASIC供电强调大电流、低DCR与低AC铜损。非晶/纳米晶粉芯用于一体成型电感,可在较高频率下保持低损耗与较高饱和磁通密度,兼顾高效率、小体积与热稳定,满足AI服务器VRM/多相Buck对低噪声与高瞬态响应的需求。

 

 

 

EMI共模/差模滤波电感

 

非晶/纳米晶材料具有高磁导率与宽频高阻抗特性,覆盖150 kHz–30 MHz传导/辐射抑制频段,适合AI服务器AC输入/DC输出的共模/差模滤波,降低高频噪声耦合与EMI风险,提升整机CISPR 32/EN 55032合规裕量。

 

 

 

数据中心HVDC链路中的隔离与配电变压器

 

面向240/336/400/800 V演进的HVDC架构,非晶/纳米晶高频变压器替代工频硅钢片,显著降低空载/负载损耗与体积,提升链路效率与功率密度,已在SST、巴拿马电源、传统HVDC等多级供电方案中作为关键磁材路径被验证与推广。

 

 

选型与落地要点

 

 

频率与损耗权衡:在200–500 kHz区间,非晶/纳米晶的磁芯损耗与温升优势明显;更高频时需结合绕组结构(利兹线/箔带、层叠顺序)控制Rac与寄生电容。

 

 

 

直流偏置能力:关注材料在100–120℃下的Bs与直流叠加曲线,避免高温瞬态饱和与感量骤降。

 

 

 

工艺与可靠性:非晶粉芯需绝缘包覆与致密化工艺配合(如SPS等),量产一致性、耐压与热循环可靠性是关键门槛。

 

 

 

与铁氧体的分工:铁氧体适合高频小功率/高阻抗场景;非晶/纳米晶更适合中高频、中大功率的隔离与功率电感,二者在AI电源链路上常协同使用。

 

 

 

前沿进展与趋势

 

 

高Bs非晶合金赋能更高功率密度:通过机器学习辅助合金设计,已获得Bs > 1.85 T(最高至约1.92 T)、Hc ≈ 1.2 A/m的Fe基非晶体系,为更小更轻的高频功率磁件提供材料基础,适配AI服务器对效率与体积的极致追求。

 

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