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发布于 2025-09-04 / 100 阅读
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500W 5V 100A LLC谐振变换器方案计算

500W 5V 100A LLC谐振变换器方案计算

输入90-264VAC/输出5V100A(100KHz)开关电源设计方案

基于“最优拓扑=效率优先+适配大电流+宽输入兼容性”原则,本方案选用LLC谐振变换器+同步整流拓扑,其软开关特性可降低100KHz频率下的开关损耗,同步整流能解决5V/100A大电流的整流损耗问题,是该功率等级(500W)宽输入电源的最优选择。

一、最优拓扑结构选择与原理图

1. 拓扑选择依据

功率匹配:输出功率Po=5V×100A=500W,属于中功率范畴,LLC谐振拓扑在300-1000W区间效率优势显著(典型效率90%-95%)。

宽输入适配:LLC通过谐振腔参数优化,可稳定覆盖90-264VAC整流后的127-373VDC宽输入范围。

大电流低损耗:输出5V/100A若用二极管整流,压降损耗达50W(按0.5V压降计),同步整流(MOSFET压降<0.1V)可将损耗降至<10W,大幅提升效率。

高频兼容性:100KHz开关频率下,LLC的软开关(ZVS/ZCS)可避免硬开关的高频损耗,降低EMI。

2. 详细拓扑原理图

 

[AC输入] → [EMC滤波(共模电感+X电容+Y电容)] → [桥式整流] → [输入电解电容] → [LLC谐振腔(Lr+Cr+Lm)]

→ [全桥开关管(Q1-Q4:N-MOSFET)] → [高频变压器(T1)] → [同步整流电路(Q5-Q6:同步MOSFET+驱动IC)]

→ [输出滤波(Lo+Co)] → [5V/100A输出]

                                   

    [PWM控制器(如NCP1399)] ← [输出电压采样(分压电阻)]

核心模块说明

LLC谐振腔:Lr(谐振电感)、Cr(谐振电容)、Lm(变压器励磁电感),谐振频率f0=1/(2π√(Lr×Cr))=100KHz,通常取Lm=5~10Lr。

全桥开关管:选用低导通电阻MOSFET(如STP80NF70),实现ZVS软开关。

同步整流驱动:采用专用IC(如IR1167),根据变压器次级电压极性驱动同步MOSFET(如AO4800,Rds(on)<5mΩ)。

控制器:NCP1399支持宽输入LLC拓扑,内置软启动和过流保护。

二、高频开关变压器设计(核心步骤+计算公式)

变压器设计需满足“低漏感、低铜损、磁密不饱和”,基于PC40铁氧体磁芯(饱和磁密Bm=0.3T,高频损耗低),步骤如下:

1. 确定关键设计参数

 

参数名称

符号

计算公式/取值

结果

输出功率

Po

Vo×Io

5V×100A=500W

效率假设

η

中功率LLC典型值

90%

输入功率

Pi

Po/η

500/0.9≈555.6W

输入直流电压

Vin_min/Vin_max

AC输入×√2

90√2≈127V / 264√2≈373V

开关频率

fsw

设计要求

100KHz

饱和磁密

Bm

PC40磁芯常温值

0.3T(留裕量,实际≤0.25T)

电流密度

J

铜损与散热平衡

4A/mm²(高频多股线可放宽至5A/mm²)

填充系数

Kf

绕组占空比

0.4(避免绕制过满)

2. 计算磁芯面积乘积(AP值)——选磁芯型号

AP值是磁芯选型核心指标,反映磁芯功率承载能力:公式:AP = Pi × 10^4 / (2 × fsw × Bm × J × Kf)

单位:AP(cm⁴),Pi(W),fsw(Hz),Bm(T),J(A/cm²,4A/mm²=400A/cm²)。

计算过程:AP = 555.6 × 10^4 / (2 × 100×10³ × 0.3 × 400 × 0.4) ≈ 5556000 / (9.6×10^6) ≈ 0.58 cm⁴

磁芯选型:选用EE55/25/21磁芯(AP=0.62 cm⁴,有效截面积Ae=1.85 cm²,窗口面积Aw=0.335 cm²),满足AP值需求。

3. 计算变压器匝比(n)

LLC拓扑匝比由最大输入电压和输出电压决定,确保最大输入时输出稳定:公式:n = Vin_max / (2 × Vo × η)

分母“2”因全桥结构,次级电压为初级电压的2/n倍;η补偿效率损耗。

计算过程:n = 373 / (2 × 5 × 0.9) ≈ 373 / 9 ≈ 41.4,取整数n=41(初级:Np,次级:Ns,n=Np/Ns)。

4. 计算初/次级匝数(Np、Ns)

基于法拉第电磁感应定律,由最小输入电压和最大占空比(LLC最大占空比Dmax=0.45)计算:

(1)初级匝数Np

公式:Np = Vin_min × Dmax × 10^4 / (4 × fsw × Bm × Ae)

单位:Vin_min(V),Ae(cm²),结果取整数。

计算过程:Np = 127 × 0.45 × 10^4 / (4 × 100×10³ × 0.3 × 1.85) ≈ 571500 / (2.22×10^5) ≈ 25.7,取Np=26匝

(2)次级匝数Ns

公式:Ns = Np / n

计算过程:Ns = 26 / 41 ≈ 0.63,因次级需大电流,采用双线并绕2匝(实际等效Ns=2/2=1匝,匹配匝比n=26/1=26,需重新验算匝比:Vin_max/(2×Vo×η)=373/(2×5×0.9)≈41.4,此处需调整Np至41匝,Ns=1匝,避免小数匝)。修正后:Np=41匝,Ns=1匝(双线并绕,提升载流能力)。

5. 验算磁密(Bm)——避免饱和

公式:Bm = Vin_min × Dmax × 10^4 / (4 × fsw × Np × Ae)

计算过程:Bm = 127 × 0.45 × 10^4 / (4 × 100×10³ × 41 × 1.85) ≈ 571500 / (3.026×10^6) ≈ 0.19T < 0.3T,满足不饱和要求。

6. 计算初/次级导线截面积(S)

导线截面积由 RMS 电流和电流密度决定,需考虑趋肤效应(100KHz下趋肤深度δ=0.1mm,选用多股漆包线)。

(1)初级RMS电流Ip_rms

公式:Ip_rms = Pi / (Vin_min × √2 × η)

计算过程:Ip_rms = 555.6 / (127 × 1.414 × 0.9) ≈ 555.6 / 161 ≈ 3.45A

(2)次级RMS电流Is_rms

公式:Is_rms = Po / (Vo × √2)

计算过程:Is_rms = 500 / (5 × 1.414) ≈ 500 / 7.07 ≈ 70.7A

(3)导线截面积

公式:S = I_rms / J

初级:S_p = 3.45A / 4A/mm² ≈ 0.86mm²,选用0.9mm单股漆包线(或2股0.5mm线并绕)。

次级:S_s = 70.7A / 4A/mm² ≈ 17.7mm²,选用2股1.0mm×9股多股线并绕(总截面积≈17.8mm²),降低趋肤效应和铜损。

7. 绕制工艺与漏感控制

绕制方式:采用“三明治绕法”(初级1/2 → 次级 → 初级1/2),减少漏感(LLC要求漏感≤Lr的5%)。

绝缘处理:初级与次级间用3层聚酰亚胺薄膜绝缘,满足安规要求(输入输出耐压≥3KV)。

漏感测试:绕制后用LCR表测试漏感,需≤1μH(Lr取20μH,漏感≤1μH符合要求)。

三、关键元件选型汇总

 

元件类型

型号示例

关键参数

全桥MOSFET

STP80NF70

80V/70A,Rds(on)=0.028Ω

同步整流MOSFET

AO4800

30V/120A,Rds(on)=4.5mΩ

谐振电感Lr

定制

20μH,饱和电流≥5A

谐振电容Cr

CBB21

0.1μF/630V(X2安规)

输出滤波电感Lo

定制

20μH,饱和电流≥120A

输出滤波电容Co

固态电容

2200μF/10V(多颗并联)

控制器

NCP1399

支持LLC拓扑,内置ZVS控制

通过以上设计,可实现90-264VAC输入、5V/100A输出,效率≥90%,满足100KHz高频运行要求,且通过同步整流和LLC软开关特性,确保大电流下的低损耗与稳定性。

(豆包AI生成)


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