正激拓扑型变压器的设计
正激变换器通常使用无气隙的磁芯（如果需要适量增加气隙），电感值比较高，初、次级绕组峰值电流较小，因而铜损较小，开关管峰值电流较低，开关损耗较小，效率比较高，其高可靠高稳定性使得其在很多领域和苛刻环境得到应用。
正激变换器变压器的设计方法：
1、规格条件：
输入最低电压：Vindc（min）
输入最高电压：Vindc（max）
输出电压：Vout
输出电流：Iout
输出功率：Pout
整体电源效率η
开关频率Fs
最大占空比Dmax=0.35-0.38
2、选择磁芯的材质，确定最大磁通变化量：ΔB
选择高μ低损耗，高Bs材质的磁芯，常选用TDK PC40或同等材，相关参数如下：
因为正激电路的磁芯单向磁化，要让磁芯不饱和，磁芯中的磁通密度最大变化量需满足ΔB<Bs-Br,即：ΔB=390-55=335mT,但实际应用中由于温度效应和瞬变情况会引起Bs和Bs的变化，导致ΔB的动态范围变小而出现饱和，因此，设计时需保留一定裕量，通常取60%~80%（Bs-Br）, ΔBc选得过高磁芯损耗会增加，易饱和，选得过小会使匝数增加，铜损增大，产品体积增大，通常选择60%（Bs-Br），则最大磁通变化量ΔB=（390-55）*0.6=201mT,即0.201T。
3、确定磁芯规格：AP法
根据公式AP=Aw*Ae=(Ps*10＾4)/(2ΔB*Fs KcJ)
其中:
Aw为磁芯的铜窗口截面积（cm＾2），
Ae为磁芯的有效截面积（cm＾2），
Ps为变压器的视在功率（W），
ΔB为最大磁通变化量（T）,
开关频率（KHZ），
Kc为铜绕组窗口占用系数,
J为电流密度（A），
4、对正激变换器，视在功率Ps=（Pout/η）+Pout
电流密度J根据不同的散热方式取值不同，一般采用400~600A/cm＾2,此处考虑到趋肤效应采用多股纱包线，取600A/cm＾2
铜绕组窗口占用系数Kc取0.2
ΔB=0.20T，J=600A/cm＾2,Kc=0.2
查磁芯规格书，选用磁芯ETD39,其相关参数如下：
Aw： cm＾2；Ae： cm＾2；
ETD39的APetd=Aw*Ae cm4,则ETD39的APetd计算值与按照规格计算值比较。
来判断是否选择适合。
5、计算匝比、匝数 N
5.1、根据公式N=Np/Ns=Vindc/Vo=(Vindc（min）*Dmax)/(Vout+Vf)
其中Vf为输出二极管正向压降，取0.8V
最大占空比Dmax1=N(Vout+Vf)/Vin
5.2、根据公式Np=Vin*Ton/(ΔB*Ae)
导通时间Ton=Dmax*Ts,周期Ts=1/Fs*106
得初级匝数:
NP=[Vin*Dmax*(1/Fs*106)]/(B*Ae)
5.3、次级匝数Ns=Np/N
5.4、取次级匝数Ns：Ts验算初级匝数Np,
初级匝数Np=Ns*N
考虑到输入电压较高，采用双管正激比采用单管正激可以大幅减小MOSFET的电压应力，无需消磁绕组。
6、再通过初级匝数Np来验算最大磁通变化量ΔB，
最大磁通变化量ΔB=（Vin*Dmax*Ts）/(Np*Ae)
根据ΔB+Br<Bs判断是否合理。
7、根据L=N2*Al得，
初级电感量最小值Lmin=Np2*[AL*(1-0.25)] ：mH
其中：选用的磁芯 ETD39的电感因数为：4000nH/N²,变化范围：±25％
8、计算初级绕组线径Np
输入电流Ip=Pout/(Vin*Dmax*η)：A
初级线圈电流有效值Ip_rms=Ip*SQRT(Dmax)：A
则，初级线圈截面积Swp=Ip_rms/J：mm2
多股纱包线单根直径为0.1mm，其单根面积为Sw=3.14*(0.1/2）2：mm2
得,初级所需纱包线股数Nwp=Swp/Sw：PCS。
即，初级线圈采用X根单根直径0.1mm的纱包线。
9、计算次级绕组的线径Ns
次级线圈电流有效值Is_rms=Iout*SQRT(Dmax):A
次级线圈截面积Sws=Is_rms/J:5mm2
次级所需纱包线股数Nws=Sws/Sw:PCS。
即，次级线圈采用Y根单根直径0.1mm的纱包线。
通常纱包线的电流密度可取范围较大，一般为400~1000A/CM2,结合常用规格，取：
初级线圈采用X根单根直径0.1mm的纱包线绕ATs；
次级线圈采用Y根单根直径0.1mm的纱包线绕BTs。