高频反激式变压器DCM，CCM，QR三种设思路

原创 磁性元器达人 磁性元件达人 2025年11月18日 06:11 广东 

高频反激式变压器在 DCM（断续导通模式）、CCM（连续导通模式）和 QR（准谐振模式）下的设计思路各有侧重，以下是三种模式的核心设计要点与对比：

✅ 1. DCM（Discontinuous Conduction Mode）设计思路

特点：  

- 每个周期内变压器磁能完全释放，电流降到零。  

- 控制简单，适合中小功率应用（<100W）。  

- 开关损耗小，但导通损耗大，EMI 较高。

设计要点：  

- 设定最大占空比（如 0.48），在最低输入电压下工作在 BCM（临界模式）。  

- 根据伏秒平衡计算反射电压 Vor 和匝比 n。  

- 初级电感量 Lp 通过能量传输公式计算： 

  Po = 0.5X Lp X Ipk^2 XFswX  η  

- 典型电感值较小（如 78μH），以确保持续在 DCM 区域 。

✅ 2. CCM（Continuous Conduction Mode）设计思路

特点：  

- 变压器电流不完全降到零，能量在每个周期内部分转移。  

- 适合中功率应用（50W～150W），效率较高，EMI 较低。  

- 控制环路复杂，需考虑斜坡补偿。

设计要点：  

- 通常设定在额定负载的 70% 处为 BCM 临界点，负载增加即进入 CCM。  

- 计算电流纹波 ΔI，并据此确定 ΔB（磁通密度变化量），避免磁芯饱和。  

- 电感量较大（如 150μH 以上），以降低电流纹波。  

- 匝比与 DCM 类似，但初级匝数可能略少，以保持磁通密度在安全范围 。

✅ 3. QR（Quasi-Resonant）模式设计思路

特点：  

- 本质上是变频的 DCM，在谷底导通，降低开关损耗。  

- 适合高效率、低 EMI 应用，如充电器、适配器。  

- 频率随输入电压和负载变化，需频率补偿设计。

设计要点：  

- 在最低输入电压下设定为临界模式（近似 BCM），计算反射电压与匝比。  

- 初级电感量通常大于 DCM（如 156μH），以控制峰值电流。  

- 需计算谐振周期，确保 MOSFET 在谷底导通。  

- 频率变化范围大（如50kHz ～112.5kHz），需考虑变压器磁芯损耗与 EMI 滤波器设计 。

�� 总结对比表：

模式 控制方式 电感量 应用功率 特点 设计复杂度 

DCM 定频/变频 小（78μH） <100W 控制简单，EMI 高 低 

CCM 定频 大（>150μH） 50W～150W 效率高，EMI 低 高 

QR 变频 中（156μH） <150W 高效率，低 EMI 中